Импульсный блок питания 1000W на IGBT транзисторах в быту

После восстановления схемы и настройки защиты по максимальному току схема заработала вполне нормально. Но в очередной раз запуска вылетели опять IGBT-транзисторы и их драйвера. Теперь вопросы:.

Подавление эффекта Миллера в схемах управления MOSFET/IGBT

Полупроводниковый ключ — один из самых важных элементов силовой электроники. На их базе строятся практически все бестрансформаторные преобразователи тока и напряжения, инверторы, частотные преобразователи. Применение электронных ключей позволяет упростить схему преобразователей, значительно уменьшить габариты устройств, улучшить технические характеристики. Первые силовые электронные устройства были выполнены на базе тиристоров и биполярных транзисторов. Первые при всех своих достоинствах не могут обеспечить необходимое быстродействие, управляемые тиристоры используют в среднечастотной области. Применение биполярных транзисторов существенно ограничивает невысокий коэффициент передачи тока, значительный температурный разброс этого параметра, управление знакопеременным напряжением, невысокая плотность тока силовой цепи.

Управление MOSFET и IGBT транзисторами. Схемотехнические решения. Расчет

Драйвер для IGBT-модуля SEMIKRON своими руками

Транзистор (Б.У.) IGBT RJH60F5 80A 600V (для сварочных инверторов)

Транзисторы: принцип работы, схема включения, чем отличаются биполярные и полевые

Транзисторы IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором широко используются в силовой электронике. Это надежные и недорогие компоненты, управляющиеся путем подачи напряжения на изолированный от цепи элемент. IGBT — транзистор, принцип работы которого чрезвычайно прост.